张明喆

Professor

Gender:Male

Education Level:Doctor graduate

Patents

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13. 张明喆，揣明艳，氧化铜掺铕室温铁磁半导体材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2017.09.05，授权公告日，2019.03.19，专利号，ZL 201710809651.9。
12. 张明喆，肖传海, 一种在柔性塑料衬底上电沉积制备ZnO纳米片薄膜的方法, 中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2016.05.09，授权公告日，2018.04.03，专利号，ZL 201610298064.3（发明专利）
11. 张明喆，肖传海, 制备ZnO/ZnSe微纳米异质周期结构功能材料的方法, 中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2015.12.28，授权公告日，2018.04.03，专利号，ZL 201510998129.0（发明专利）
10. 张明喆，肖传海，一种Au修饰Zn/ZnO微纳米材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2014.11.15，授权公告日，2016.03.23，专利号，ZL 201410649583.0（发明专利）
9. 张明喆，王盼，掺钇硫化镉稀磁半导体纳米材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2013.09.05，授权公告日，2015.04.29，专利号，ZL 201310400908.7（发明专利）
8. 张明喆，高亮，CuO和In2O3微纳米异质周期结构功能材料及其制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2012.07.02，授权公告日，2015.05.27，专利号，ZL 201210224927.4（发明专利）
7. 张明喆，崔光亮，氧化亚铜和二氧化锡微纳异质阵列结构气敏材料及其制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2011.12.31，授权公告日，2014.12.10，专利号，ZL 201110455860.0（发明专利）
6. 张明喆，王盼，杨鹤，制备Y掺杂AgS稀磁半导体纳米颗粒方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2013.05.31 ，授权公告日，2014.07.09 ，专利号 ZL 201210210689.6（发明专利）
5. 张明喆，赵瑞，姚彬彬，邱明泽，岩盐矿结构Co掺杂CdS稀磁半导体纳米颗粒的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2012.04.11，授权公告日，2014.02.12，专利号，ZL 201210105253.6（发明专利）
4. 张明喆，姚彬彬，赵瑞，卢思宇，一种掺铕的三硫化二铟稀磁半导体纳米材料的制备方法，中华人民共和国国家知识产权局，申请日，2012.04.11，授权公告日，2013.12.11，专利号，ZL 201210105266.3（发明专利）

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